2009年飞舸公司三项重要技术升级

       1. 击穿点中移：飞舸独创的MOV击穿点中移技术将芯片的工频电流击穿点中移至距边缘5～10mm的铜电极区。1. 发热量最高的击穿点被铜片覆盖，发热被铜片吸收传导，芯片不易击穿；2. 芯片熔穿后的喷火被铜片捂盖，有效防止防雷器起火燃烧；铜电极直接吸收喷火热量并快速传导至脱扣点，使热脱离机构快速脱离，保护SPD自身的安全。

       该技术极大提高了防雷器自身的安全性能，客户检验在5A工频电流下熔穿时间≥2S、2.5A下≥4S，有效保证SPD热脱离机构动作。通过该技术，飞舸MOV的工频耐受能力已达国际最好产品的同级水平，如下表：

       2. 残压更优： 配方改良后通用型34S621芯片20kA残压≤1350V（压比2.0～2.1）、20kA冲击寿命≥150次；高通流产品（Imax=60kA）的30kA残压≤1550V。随着8/20μS通流能力的提高，32D产品达到了过去34S的水平，完全可以替代以有效降低成本。

       3. 包封质量提高：用耐潮和耐压特性均优的釉料涂边、采用更优质的包封料，使得表面质量和耐潮性能明显改观，并显著提高了包封层的大电流冲击耐受能力。34S单片产品包封后60kA冲击一次，包封层不会出现打蹦的情况，达到了目前业内的最高水准。 

飞舸MOV：高工频耐受+低冲击残压+超长寿命