2009年飞舸公司三项重要技术升级

栏目:公司新闻 发布时间:2010-11-05 浏览量: 2069
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       1. 击穿点中移:飞舸独创的MOV击穿点中移技术将芯片的工频电流击穿点中移至距边缘5~10mm的铜电极区。1. 发热量最高的击穿点被铜片覆盖,发热被铜片吸收传导,芯片不易击穿;2. 芯片熔穿后的喷火被铜片捂盖,有效防止防雷器起火燃烧;铜电极直接吸收喷火热量并快速传导至脱扣点,使热脱离机构快速脱离,保护SPD自身的安全。

       该技术极大提高了防雷器自身的安全性能,客户检验在5A工频电流下熔穿时间≥2S、2.5A下≥4S,有效保证SPD热脱离机构动作。通过该技术,飞舸MOV的工频耐受能力已达国际最好产品的同级水平,如下表:

       2. 残压更优: 配方改良后通用型34S621芯片20kA残压≤1350V(压比2.0~2.1)、20kA冲击寿命≥150次;高通流产品(Imax=60kA)的30kA残压≤1550V。随着8/20μS通流能力的提高,32D产品达到了过去34S的水平,完全可以替代以有效降低成本。

       3. 包封质量提高:用耐潮和耐压特性均优的釉料涂边、采用更优质的包封料,使得表面质量和耐潮性能明显改观,并显著提高了包封层的大电流冲击耐受能力。34S单片产品包封后60kA冲击一次,包封层不会出现打蹦的情况,达到了目前业内的最高水准。 

飞舸MOV:高工频耐受+低冲击残压+超长寿命

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